√> RS232设计规划：
1.从DB9接口开始，放置D2气体放电管，用于放高压大电流。但是放电管的特点是通流量大但响应慢、击穿电压高，所以后部还需要其他器件配合。
2.放置R18 /R19 PTC热敏电阻/自恢复保险丝。配合气体放电管，当大电流过来时阻断电路配合GDT泄放能量。我的理解是PTC的电压高于预料内引入浪涌的最高压，电流不高于后级TVS的最大通过电流。
3.放置DR1/DR2双向TVS二极管，因为RS232的电压特性，选用的TVS是双向的，电压为15V。弥补GDT因为反应慢而通过的电流。
4.EMI方面，放置R12/R17高频磁珠与C15/C16滤波电容, 根据磁珠的特性曲线可以知道，232的通信频率相对于磁珠来说都是低频信号，可以低阻通过，高频杂波被阻挡，配合低容值电容，泄放高频干扰。通常选择600Ω/100MHz，330pF。
总结：
前端采用通流量大的GDT，泄放大电流
后端采用反应时间快的TVS，残压低，有效保护RS232芯片
中间采用PTC做退耦，让前面GDT更容易动作，达到泄放电流的作用
本方案在差模，共模均采用是同型号的TVS和GDT,防护无死角。
本方案满足IEC61000-4-2、GBT17626.2等静电标准，IEC61000-4-5、GBT17626.5等浪涌测试标准
可通过10/700μs（等效内电阻40ohm）、1.2/50-8/20μs测试，具体防护等级需参考GDT和TVS管的通流量。
√> RS485设计规划：
EMC设计中，需要重点考虑三个因素：静电放电（ESD）、电快速瞬变（EFT）和浪涌（Surge）。
1.从JP2接口开始，放置D4气体放电管，用于放高压大电流。但是放电管的特点是通流量大但响应慢、击穿电压高，所以后部还需要其他器件配合。
2.放置R18 /R19 PTC热敏电阻/自恢复保险丝。配合气体放电管，当大电流过来时阻断电路配合GDT泄放能量。我的理解是PTC的电压高于预料内引入浪涌的最高压，电流不高于后级TVS的最大通过电流。
3.放置D3-SM712系列瞬态抑制二极管阵列 专为保护具有非对称工作电压（-7V至12V）的RS-485 应用而设计，使其免受静电放电（ESD）、电气快速瞬变（EFT）和雷电引致的浪涌电流带来的危害。
4.放置匹配电阻R24。RS-485是差分电平通信，在距离较长或速率较高时，线路存在回波干扰，由于通信载体是双绞线，它的特性阻抗为120Ω左右，（远距离通信时）要在通信线路首末两端并联120Ω匹配电阻。
